檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "Ying-Sheng Huang".ecommittee (精準) and year="97"
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近年來，奈米尺寸材料在光電應用上的發展漸漸受到重視，使許多的Ⅲ-Ⅴ族、氧化物半導體材料，開始投入許多研究與開發，其中氧化鋅奈米材料( 奈米線、奈米帶、奈米顆粒…等等 )由於擁有寬能隙(3.37 eV…
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近年來，有越來越多人開始投入太陽能電池的研究，因此技術進步的很快，目前研究雖然都有不錯的轉換效率，但由於成本高昂，故一直無法普及，因此找尋新的材料來壓低太陽能電池成本是必需的，然而在各種新材料被研究…
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由於染料敏化太陽能電池之電子電洞對是由受光激發之染料所產生，因此增加染料敏化太陽能電池之光電轉換效率最有效的方法即為增加其陽極之導電性及可用的表面積。為了增加染料的吸附面積，本實驗利用垂直配向之奈米…
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本文使用反應式離子束濺鍍沉積法，在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜，觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時，有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光；500℃時，有強的近能隙…
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最理想化的六角形陣列之奈米碳管束使用熱化學氣相沉積法合成，為了增強奈米碳管的電子場發射特性，針形狀的二氧化釕與錐形狀的氧化鋅奈米結構分別使用金屬有機化學氣相沉積法與熱化學氣相沉積法成長於奈米碳管的表…
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以離子濺鍍法，在沈積氧化鋅薄膜同時，除了通入氬氣作為轟擊靶材之離子源，也直接加入氮氣，可將氮摻雜到氧化鋅薄膜，形成摻氮氧化鋅(ZnO:N)。以XRD分析成長溫度為300C之摻氮氧化鋅薄膜中只有氧化…
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使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅鎂薄膜已成功的被製作。本論文將使用反應氣體氧氣參與離子束濺鍍Mg0.1Zn0.9金屬靶材，以（111）矽基板溫度360、400及500℃成長氧化鋅鎂薄膜MgxZn1-…
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本論文成功利用熱化學氣相沉積法成長奈米碳管並作為超級電容之材料。為了增加電容量，本實驗在奈米碳管成長時加入氨氣，使氮摻雜於奈米碳管之中；再利用金屬有機化學氣相沉積系統，於奈米碳管外成長二氧化釕奈米結…
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由於矽廣泛地被應用於微電子產業，絕緣層覆矽(SOI)平台不僅可成為低功率消耗及高速度特性之光學與電子學應用的共通基板，而且也被證明可與互補式金屬氧化物半導體(CMOS）的標準製程相容。相對於傳統的二…
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本論文之研究重點在於設計製作應用於低密度分波多工系統的多波長雷射陣列技術，研究的方向在於寬增益頻譜材料與新型取樣光柵分佈布拉格反射式雷射之研發。 在寬增益頻譜的材料技術上，藉由量子井混合與區域選擇性…